RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3466
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link