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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3587
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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