RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
25
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
19
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3192
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link