RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3792
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link