RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3824
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link