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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3786
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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