RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
80
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
80
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
1775
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link