RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
36
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2942
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link