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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3866
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9905643-009.A00G 8GB
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