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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2356
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
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