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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
67
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
67
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
1693
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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