RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2892
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link