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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2976
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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