RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2116
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link