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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2324
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
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