Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Puntuación global
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 30
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 7.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 12800
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 7.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 2154
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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