Comparación de la memoria RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Puntuación global

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 59

En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.1 7.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2764 2128

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns