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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
60
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
60
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2136
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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