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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
46
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
46
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2541
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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