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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
43
En -115% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
20
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2939
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
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