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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3908
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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