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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2699
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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