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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
43
En -48% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2635
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99P5471-024.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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