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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3491
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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