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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3491
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
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