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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3262
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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