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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3593
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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