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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3432
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
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