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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2533
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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