RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2353
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link