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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
43
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2961
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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