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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3839
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
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