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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2384
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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