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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
43
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3206
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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