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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3563
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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