RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
43
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
19
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3724
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link