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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
24.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
19.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
4174
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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