RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3844
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link