Comparación de la memoria RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Puntuación global

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

43 77

En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.9 13.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.6 5.5

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2506 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns