RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
43
En -8% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
40
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2031
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link