RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3007
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre D4 8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link