RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2307
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link