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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2792
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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