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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3138
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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