RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2934
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Informar de un error
×
Bug description
Source link