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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
77
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
77
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
1267
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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