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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MID 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MID 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
41
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2338
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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