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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2979
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
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