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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3489
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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