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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
47
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
47
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2227
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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