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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2871
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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